IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistos)，是一種絕緣柵雙極型晶體管；由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。被廣泛應用于航天航空、電動汽車、新能源裝備、消費電子、家用電器等領域。
 
在IGBT模塊變流器裝置中，最關鍵的參數(shù)之一是IGBT芯片的溫度。直接測量的方法是將溫度傳感器安裝在芯片上或者成為芯片的一部分。如此做將會減少承載芯片電流能力的有效區(qū)域。一個可行的替代方案用來確定芯片的溫度，從測量基板的溫度作為一個已知點開始，使用熱模型計算IGBT溫度。
 
IGBT一些新封裝結構的模塊中，內部封裝有NTC熱敏電阻邦定晶片溫度傳感器(NTC熱敏邦定晶片熱敏電阻晶片)。安裝在IGBT上的NTC熱敏電阻既能有效地對溫度進行監(jiān)測，還能在溫度過熱時給予快速的反應并且把信息反饋到控制界面讓控制員來處理，這樣能及時處理且防止零件或機器損壞。

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